通过量子产率调控在 $WSe_2$ 中实现高达160 K的单光子发射
材料科学
2019-03-04 v1
摘要
承载应变诱导量子发射器的二维半导体具备独特能力，可实现与纳米腔及波导的确定性耦合的可扩展架构，这是基于芯片的量子信息处理技术所必需的。一个严重缺陷是 中量子发射器的激子发射在超过30 K时即淬灭，从而需要低温冷却。本文中，我们展示了一种基于最大化发射器量子产率来提升 中激子量子发射器温度耐受性的方法。利用导致非辐射缺陷密度降低的优化材料生长，以及将激子发射耦合至等离激元纳米腔模式，我们实现了平均高达44%的量子产率、高达92 meV的热激活能，以及在高达160 K温度下单光子发射特征。在这些数值下，利用热电芯片进行非低温冷却已可行，而定量分析表明通过主动应变工程有望实现室温工作。
引用
@article{arxiv.1903.00126,
title = {Single photon emission in $WSe_2$ up 160 K by quantum yield control},
author = {Yue Luo and Na Liu and James C. Hone and Stefan Strauf},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.00126},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 4 figures