单层 WS$_2$ 中单光子发射器的高温激活

控制二维半导体中缺陷诱导激子态的激活，为获取孤立量子发射器并提供对缺陷物理的灵敏探针提供了途径。本文演示了对封装在 hBN 包层单层 WS$_2$ 上的样品进行原位高温退火处理，使得其在低温下出现谱上孤立的单光子发射器。温度约为1100 K的退火产生一条尖锐的发射线 $X_L$，其从中性激子红移约80 meV， linewidth 小于200 $\mu$eV。光致发光激发光谱和功率依赖测量表明，$X_L$ 来源于WS$_2$单层中由退火诱导的缺陷；而第二阶光子相关测量显示其 $g^{(2)}(0)<0.5$，表现出清晰的抗关联。这些结果表明，原位高温退火是获取范德鲁赫材料中缺陷诱导激子态和单光子发射的可控方法。