单层MoSe2中离散类量子点发射体：空间映射、磁光与电荷调谐
材料科学
2016-04-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
过渡金属硫族化物单层如MoSe2、MoS2和WSe2是具有独特光电和自旋-谷性质的直接带隙半导体。本文报道单层MoSe2中光谱尖锐、空间局域的发射。我们在剥离至金基底上的样品以及悬浮薄片中均发现这种量子点状发射。空间映射显示发射体位置与薄片中皱褶（应变区域）的存在相关。我们在垂直于单层平面的磁场和电场中调谐发射性质。我们提取出离散发射体的激子g因子接近-4，与该材料中二维激子相同。在电荷可调样品中，当改变外加电压时，我们记录到随着电荷添加到发射体而发生的meV尺度离散跳跃。对这些量子点状发射体发射性质的控制为在这些原子级薄材料中进一步设计光-物质相互作用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1602.07947,
title = {Discrete quantum dot like emitters in monolayer MoSe2: Spatial mapping, Magneto-optics and Charge tuning},
author = {Artur Branny and Gang Wang and Santosh Kumar and Cedric Robert and Benjamin Lassagne and Xavier Marie and Brian D. Gerardot and Bernhard Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.07947},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 2 figures