单层WSe2中的栅极调控量子点
介观与纳米尺度物理
2021-10-13 v1
摘要
电荷载流子的量子限制与操控对于实现实用的量子技术器件至关重要。电子自旋与谷自由度之间的相互作用，以及通过电学和光学手段寻址其量子态的可能性，使得二维(2D)过渡金属硫族化物成为开发量子器件的新兴平台。本工作中，我们基于层状二维材料异质结构制备器件，在其中实现了栅极调控的二硒化钨(WSe2)空穴量子点。我们讨论了在WSe2器件沟道中因量子点出现而观测到的介观输运特征，并将其与理论模型进行了比较。
引用
@article{arxiv.2108.00507,
title = {Gate controlled quantum dots in monolayer WSe2},
author = {Justin Boddison-Chouinard and Alex Bogan and Norman Fong and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Sergei Studenikin and Andrew Sachrajda and Marek Korkusinski and Abdulmenaf Altintas and Maciej Bieniek and Pawel Hawrylak and Adina Luican-Mayer and Louis Gaudreau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.00507},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures