一种 WSe2 垂直场发射晶体管
介观与纳米尺度物理
2019-02-05 v2
摘要
我们报道了首次观察到由化学气相沉积在 SiO2/Si 衬底上合成的二硒化钨（WSe2）单层的栅控场发射电流。Ni 接触的 WSe2 单层背栅晶体管在高真空下表现出 n 型导电和依赖于漏极偏压的转移特性，分别归因于氧/水脱附和漏极诱导的肖特基势垒降低。栅调谐的 n 型导电使得场发射（即通过量子隧穿抽取电子）得以实现，即便从 WSe2 单层的平坦部分也能发生。电子发射在约 100 V μm^(-1) 的电场下发生，并表现出良好的时间稳定性。值得注意的是，场发射电流可由背栅电压调制。由此展示了首个基于 WSe2 单层的场发射垂直晶体管，可为进一步优化用于真空电子学的新型 WSe2 基器件铺平道路。
引用
@article{arxiv.1808.02127,
title = {A WSe2 vertical field emission transistor},
author = {Antonio Di Bartolomeo and Francesca Urban and Maurizio Passacantando and Niall McEvoy and Lisanne Peters and Laura Iemmo and Giuseppe Luongo and Francesco Romeo and Filippo Giubileo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.02127},
year = {2019}
}
备注
16 pages, 6 figures