电子辐照对多层 PdSe$_2$ 场效应晶体管的影响
应用物理
2020-08-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二硒化钯（PdSe2）是近期被剥离出的层状材料，因其五方结构、空气稳定性以及随层数大幅可调的电学性质而备受关注。本工作中，多层 PdSe2 被用作背栅场效应晶体管的沟道，并研究其在重复电子辐照下的表现。源漏极 Pd 引线使接触电阻低于 350 kOhm·μm。晶体管在高真空中呈现主导的 n 型导电，在大气压下可逆地转变为双极性电输运。10 keV 电子辐照抑制沟道电导，并迅速将器件由 n 型转为 p 型。低至 160 e-/nm2 的电子注量即剧烈改变晶体管行为，表明 PdSe2 对电子辐照的高灵敏度。该灵敏度在数次辐照后丧失，即在注量高于 4000 e-/nm2 时达到饱和条件。高电子注量引发的损伤不可逆，若保持真空与室温，器件在数小时内维持辐照改性状态。借助数值模拟，我们将此行为归因于电子诱导的 Se 原子空位形成及 Si/SiO_2 界面慢陷阱态中的电荷俘获。
引用
@article{arxiv.2002.09785,
title = {Electron irradiation on multilayer PdSe$_2$ field effect transistors},
author = {A. Di Bartolomeo and F. Urban and A. Pelella and A. Grillo and M. Passacantando and X. Liu and F. Giubileo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.09785},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 4 figures