PtSe$_2$ 纳米结构中的边缘电导
材料科学
2023-06-08 v1 机器学习
摘要
PtSe 是一种用于纳米机电传感和红外波段光电探测的有前景的二维材料。其最引人注目的特征之一是在低于 500 {\deg}C 的温度下易于合成，这与当前后段制程半导体工艺兼容。然而，该工艺生成的为多晶薄膜，具有尺寸为 5 至 100 nm 的纳米片状畴。为研究该尺寸区间内的横向量子限制效应，我们训练了一个深度神经网络以获得 DFT 精度的原子间势，并用其建模了横向宽度为 5 至 15 nm 的 PtSe 带状结构、表面、纳米片和纳米板。我们确定了最稳定的边缘终止类型，并发现证据表明对于小于 10 nm 的横向尺寸，电导局限于边缘。这表明 PtSe 薄膜中的传输通道可能由边缘网络主导，而非通过层本身的传输。
引用
@article{arxiv.2306.04365,
title = {Edge conductivity in PtSe$_2$ nanostructures},
author = {Roman Kempt and Agnieszka Kuc and Thomas Brumme and Thomas Heine},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.04365},
year = {2023}
}