PbSe纳米线电子结构的原子尺度研究
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
硒化铅(PbSe)是一种用于设计光学传感器、激光器和热电设备的极具吸引力的IV-VI族半导体材料。PbSe纳米线(NWs)制备工艺的改进使得低维量子效应的利用成为可能。采用18能带紧束缚理论，研究了横截面尺寸(W)和沟道取向对PbSe纳米线能带结构的影响。对于所有取向，带隙几乎都随W的倒数增加而增大，表明对称性依赖性较弱。与[100]纳米线相比，[111]和[110]纳米线在导带和价带中表现出更高的弹道电导，这是由于[100]纳米线中投影L谷的显著分裂所致。
引用
@article{arxiv.1103.1452,
title = {Atomistic study of electronic structure of PbSe nanowires},
author = {Abhijeet Paul and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.1452},
year = {2015}
}
备注
4 figures, Prepared for APL