原子基态色散关系下球形硅纳米线晶体管的性能评估
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
本文探讨了能带结构对球形硅纳米线晶体管 (SNWTs) 性能的影响。采用 sp3d5s* 紧致束缚模型评估了硅纳米线的能带色散关系。基于计算得到的色散关系，使用半数值球形模型评估了 n 型和 p 型 SNWTs 的球形电流。对于大直径纳米线，我们发现球形 p 型 SNWT 的 ON 电流为球形 n 型 SNWT 的一半。然而，对于小直径，p 型 SNWT 的 ON 电流接近其 n 型对应器件。最后，比较了 SNWTs 的载流子注入速度与平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管的注入速度，清晰地展示了量子约束对 SNWTs 性能极限的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410756,
title = {Performance Evaluation of Ballistic Silicon Nanowire Transistors with Atomic-basis Dispersion Relations},
author = {Jing Wang and Anisur Rahman and Avik Ghosh and Gerhard Klimeck and Mark Lundstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410756},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures