硅/氧化硅界面粗糙度散射的量子力学方法：应用于硅纳米线晶体管
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
本文提出了一种用于硅纳米线晶体管中Si/SiO2界面粗糙度散射的量子力学方法。仿真域采用三维有限元网格离散，directly 实现了Si/SiO2界面粗糙度的微观结构。通过有限元方法求解具有开放边界条件的3维薛定谔方程，采用非平衡格子函数方法结合耦合模式空间方法求解。3维电荷分布通过有限元方法求解3维泊松方程严格处理。虽然本文主要关注计算技术，但也简要讨论了SRS在SNWTs中的物理及其对器件特性的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412111,
title = {A Quantum Mechanical Approach for the Simulation of Si/SiO2 Interface Roughness Scattering in Silicon Nanowire Transistors},
author = {Jing Wang and Eric Polizzi and Avik Ghosh and Supriyo Datta and Mark Lundstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412111},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 2 figures