n-Si 无结纳米线场效应晶体管中的三维全波段原子量子输运
材料科学
2014-08-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本工作中，我们利用三维、全波段原子 sp3d5s 自旋轨道耦合紧束缚方法，研究了 n-Si 无结纳米线场效应晶体管中的量子输运。我们研究了 n-Si 无结纳米线场效应晶体管中的 - 转移特性、- 输出特性、开态电流、关态漏电流、亚阈值摆幅以及能量位置分辨电子密度谱 。我们还研究了高 K 栅介质材料变化下的 - 转移特性。量子力学模拟基于非平衡格林函数形式体系执行，以自洽求解 n-Si 无结纳米线场效应晶体管中的耦合 Poisson-Schrödinger 方程，从而获得电势和局域态密度。
引用
@article{arxiv.1408.6003,
title = {3D full-band, Atomistic Quantum transport in n-Si Junction less Nanowire field-effect transistors},
author = {Bhupesh Bishnoi and Bahniman Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6003},
year = {2014}
}
备注
There are 13 pages and 7 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1408.5469