耦合 CdS/ZnSe 量子点的电子结构与输运性质
介观与纳米尺度物理
2021-08-03 v2 材料科学
摘要
分别使用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了耦合 CdS 与 ZnSe 量子点的电子结构与输运特性。我们的研究表明，在这些新颖的耦合量子点中，前线占据与非占据分子轨道空间定位于耦合量子点的两个不同部分，从而表明电子输运中存在不对称的可能性。我们通过改变单个量子点在弱耦合与强耦合极限下的耦合强度，计算了穿过耦合量子点的电子输运。计算揭示了两种极限下不对称的电流-电压曲线，表明耦合量子点的整流特性。此外，我们讨论了通过不同栅极几何结构调控耦合量子点开关行为的可能性。
引用
@article{arxiv.1910.11813,
title = {Electronic structure and transport properties of coupled CdS/ZnSe quantum dots},
author = {Simon Liebing and Torsten Hahn and Jens Kortus and Bidisa Das and Arup Chakraborty and Indra Dasgupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.11813},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 8 figures