${\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}}$ 场效应晶体管的联合电输运与电容谱研究

W. Michailow; F. J. R. Schülein; B. Möller; E. Preciado; A. E. Nguyen; G. v. Son; J. Mann; A. L. Hörner; A. Wixforth; L. Bartels; H. J. Krenner

doi:10.1063/1.4973862

${\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}}$ 场效应晶体管的联合电输运与电容谱研究

介观与纳米尺度物理 2017-06-23 v1 应用物理

作者: W. Michailow , F. J. R. Schülein , B. Möller , E. Preciado , A. E. Nguyen , G. v. Son , J. Mann , A. L. Hörner , A. Wixforth , L. Bartels , H. J. Krenner

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摘要

我们测量了 $\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}$ 场效应晶体管的电流-电压（ $I_\mathrm{SD}$ - $V_\mathrm{GS}$ ）和电容-电压（ $C$ - $V_\mathrm{GS}$ ）特性。根据测得的电容，我们计算了电子面密度，并表明其栅压依赖性遵循由二维自由电子模型得出的理论预测。该模型使我们能够在 $V_\mathrm{GS}$ 的\emph{整个范围}内拟合测得的 $I_\mathrm{SD}$ - $V_\mathrm{GS}$ 特性。将此实验结果与测得的电流-电压特性相结合，我们确定了场效应迁移率作为栅压的函数。我们表明，对于我们的器件，与仅分析电流-电压特性的传统方法相比，这种改进的联合方法得出的电子迁移率值显著更小（超过 4 倍）。

关键词

MoS2-LiNbO3 场效应晶体管电容谱电输运场效应迁移率

引用

@article{arxiv.1701.00506,
  title  = {Combined electrical transport and capacitance spectroscopy of a ${\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}}$ field effect transistor},
  author = {W. Michailow and F. J. R. Schülein and B. Möller and E. Preciado and A. E. Nguyen and G. v. Son and J. Mann and A. L. Hörner and A. Wixforth and L. Bartels and H. J. Krenner},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1701.00506},
  year   = {2017}
}

备注

to appear in Applied Physics Letters

${\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}}$ 场效应晶体管的联合电输运与电容谱研究

摘要

关键词

引用

备注

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