用于载流子迁移率评估的单根半导体纳米线电容测量
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
首次直接测量了单根锗纳米线场效应晶体管的电容-电压特性，并将其用于评估纳米线中的载流子迁移率；从而消除了由于器件几何结构、表面和界面态以及栅介质常数与厚度所导致的计算迁移率的不确定性。直接的实验证据表明，环绕栅极纳米线晶体管比顶部栅极器件表现出更高的电容和更好的静电栅极控制能力，是未来高性能纳米电子学中最具前景的结构。
引用
@article{arxiv.0705.2579,
title = {Measuring the Capacitance of Individual Semiconductor Nanowires for Carrier Mobility Assessment},
author = {Ryan Tu and Li Zhang and Yoshio Nishi and Hongjie Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.2579},
year = {2007}
}