InAs纳米线的纳米结构与电子性质关联

通过在具有低和高缺陷密度区段的纳米线上制造多个场效应晶体管，将InAs纳米线的电子性质和纳米结构关联起来。在名义上无缺陷的线区段中，4.2 K载流子迁移率大约高出4倍。我们还发现暗场光学强度与迁移率相关，这为选择低缺陷密度的线提供了一种简单途径。在低温下，即使在具有低电阻欧姆接触的器件上，在InAs纳米线的高缺陷密度区段上制造的场效应晶体管也表现出与单电子充电一致的输运性质。获得的充电能量表明量子点在线的缺陷处形成。这些结果强调了控制缺陷密度对于使用InAs纳米线制造高质量电学和光学器件的重要性。