InAs 纳米线 MOS 电容器
材料科学
2008-08-21 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们展示了垂直 InAs 纳米线阵列的电容 - 电压研究。通过用共形 10nm HfO2 层绝缘纳米线，并使用顶部 Cr/Au 金属化层作为电容器的一个电极，获得了 MOS 电容器。所描述的制备和表征技术使得能够系统地研究纳米线中的载流子密度以及 MOS 界面的质量。
引用
@article{arxiv.0806.2942,
title = {InAs Nanowire MOS Capacitors},
author = {Stefano Roddaro and Kristian Nilsson and Gvidas Astromskas and Lars Samuelson and Lars-Erik Wernersson and Ovol Karlstrom and Andreas Wacker},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2942},
year = {2008}
}
备注
8 pages, 3 figures