超导模板中的半导体外延生长
介观与纳米尺度物理
2022-04-13 v1 超导电性
摘要
将高质量半导体-超导体器件集成到可扩展且与 CMOS 兼容的架构中仍是一项重大挑战，目前阻碍了其实际实现。在此，我们展示了在含有超导 TiN 元件的横向空腔中，于 Si 上单片集成生长 InAs 纳米线。该技术允许生长具有锐利半导体-超导体界面并可沿任意晶向排列的混合器件。低温电学表征揭示了通过透明界面在 InAs 中诱导的邻近超导性。
引用
@article{arxiv.2108.05878,
title = {Semiconductor Epitaxy in Superconducting Templates},
author = {M. F. Ritter and H. Schmid and M. Sousa and P. Staudinger and D. Z. Haxell and M. A. Mueed and B. Madon and A. Pushp and H. Riel and F. Nichele},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.05878},
year = {2022}
}