InSb纳米线中的硬超导能隙
介观与纳米尺度物理
2024-08-13 v3 材料科学
超导电性
摘要
拓扑超导是一种可承载Majorana模的状态，即拓扑量子计算机的基本构件。许多预测显示这种拓扑状态的实验平台依赖于邻近诱导超导。然而，访问拓扑性质需要诱导的硬超导能隙，这对大多数材料系统具有挑战性。我们系统研究了InSb半导体纳米线与NbTiN超导体之间的界面如何影响诱导的超导性质。逐步地，我们改善了界面的均匀性，同时确保与超导体无势垒的电接触，并在InSb纳米线中获得了硬能隙。NbTiN的磁场稳定性允许InSb纳米线在磁场(~0.5 Tesla)存在下保持硬能隙和超电流，这是一维系统拓扑超导的要求。我们的研究为在各种实验平台(如半导体纳米线、二维电子气和拓扑绝缘体)中诱导超导提供了指导，并对拓扑超导和量子计算具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1702.02578,
title = {Hard superconducting gap in InSb nanowires},
author = {Önder Gül and Hao Zhang and Folkert K. de Vries and Jasper van Veen and Kun Zuo and Vincent Mourik and Sonia Conesa-Boj and Michał P. Nowak and David J. van Woerkom and Marina Quintero-Pérez and Maja C. Cassidy and Attila Geresdi and Sebastian Koelling and Diana Car and Sébastien R. Plissard and Erik P. A. M. Bakkers and Leo P. Kouwenhoven},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02578},
year = {2024}
}
备注
See https://doi.org/10.5281/zenodo.7729730 for source data