半导体 - 超导体纳米线的外延生长
材料科学
2015-05-12 v2 介观与纳米尺度物理
超导电性
摘要
控制半导体/金属界面的性质是设计功能性和提高电气器件性能的一种有力方法。最近，半导体/超导体混合结构作为一个重要实例出现，其中界面的原子尺度均匀性对诱导超导能隙的质量起着关键作用。在此，我们展示了通过分子束外延 (MBE) 生长半导体 - 金属核壳纳米线的外延生长方法，该方法为纳米结构的受控电接触以及设计用于拓扑和门控超导电子学等专门应用的器件提供了一条概念上全新的途径。我们选择的材料 InAs/Al 是以外延匹配的单平面界面生长的，并讨论了允许在纳米线中实现外延界面匹配的其他半导体/金属组合。我们用连续介质参数和双晶对称性的一般术语表述了金属相的晶粒生长动力学。该方法实现了均匀界面的终极极限，似乎解决了超导混合结构中的软能隙问题。
引用
@article{arxiv.1411.6254,
title = {Epitaxy of Semiconductor-Superconductor nanowires},
author = {P. Krogstrup and N. L. B. Ziino and W. Chang and S. M. Albrecht and M. H. Madsen and E. Johnson and J. Nygård and C. M. Marcus and T. S. Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6254},
year = {2015}
}
备注
Combined text and Supplementary Information