InAs 纳米线的外延铝接触
材料科学
2013-09-19 v1 介观与纳米尺度物理
超导电性
摘要
我们报道了一种为半导体纳米线制备外延超导接触的方法。温度和栅极特性证明了无势垒的电接触，并在低温下研究了超导态的性质。实现了无需光刻的半覆盖铝接触，并展示了如何在界面区域可控地插入高带隙层。这些进展与支持 Majorana 零能态的混合超导 - 纳米线器件相关。
引用
@article{arxiv.1309.4569,
title = {Epitaxial aluminum contacts to InAs nanowires},
author = {N. L. B. Ziino and P. Krogstrup and M. H. Madsen and E. Johnson and J. B. Wagner and C. M. Marcus and J. Nygård and T. S. Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.4569},
year = {2013}
}