InAs/EuS/Al 混合纳米线的电子性质
介观与纳米尺度物理
2021-07-28 v2
摘要
我们研究了近期实验 [S. Vaitiekenas \emph{et al.}, Nat. Phys. (2020)] 中所探索的 InAs/EuS/Al 异质结构的电子性质，结合了谱学结果与微观器件模拟。特别地，我们利用角分辨光电子能谱研究 InAs/EuS 界面的能带弯曲。所得的能带偏移值作为后续微观器件模拟的关键输入，使我们能够映射电子波函数分布。我们得出结论：在 Al/EuS 以及 InAs/EuS 界面处的磁邻近效应对于实现零外磁场下的拓扑超导均至关重要。将拓扑相图映射为栅极电压与邻近诱导交换耦合的函数，我们表明具有重叠 Al 与 EuS 层的铁磁混合纳米线可在实际参数区间内成为拓扑超导体，且拓扑相可通过外部栅极优化。我们的工作凸显了为忠实器件模拟所需结合的实验与理论努力。
引用
@article{arxiv.2011.06567,
title = {Electronic properties of InAs/EuS/Al hybrid nanowires},
author = {Chun-Xiao Liu and Sergej Schuwalow and Yu Liu and Kostas Vilkelis and A. L. R. Manesco and P. Krogstrup and Michael Wimmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.06567},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 6 figures