全壳层InAs/Al半导体-超导杂化纳米线的电子结构：自旋轨道耦合与拓扑相空间

我们利用完全自洽的Schrödinger-Poisson方案中的八带$\vec{k} \cdot \vec{p}$模型，研究了近期被提出用于产生马约拉纳零模的全壳层超导体-半导体纳米线的电子结构。我们发现，由本征径向电场诱导的自旋轨道耦合对于其极小值靠近费米能的子带通常较弱。此外，我们表明，与拓扑相出现相一致的化学势窗口狭小且稀疏，只能通过精细调节纳米线直径来达到。这些发现表明，在全壳层InAs/Al纳米线中实现拓扑相所一致的参数空间即便有也极为狭窄。