面向拓扑应用的基于InAs的器件研究
介观与纳米尺度物理
2019-09-27 v1
摘要
超导/半导体混合器件是研究物质新拓扑态涌现的有力平台。在所有可能的半导体材料中，InAs因其高质量、大g因子和自旋轨道分量而成为一种有前景的选择。本文报道了基于InAs的一维与二维构型器件。对于前者，给出了悬浮纳米线的低温测量，考察了体系本征的自旋轨道贡献。对于后者，研究了两个含InAs量子阱的Nb接触之间的Josephson结。报道了超电流流动现象，Nb临界温度可达T_c~8K。在耗散区观察到多重Andreev反射信号。在两种体系中，我们均表明外部栅极的存在是一个有用的调控手段，可实现器件特性（如自旋轨道相干长度或超电流幅值）的广泛可调与控制。
引用
@article{arxiv.1909.12021,
title = {Investigation of InAs based devices for topological applications},
author = {Matteo Carrega and Stefano Guiducci and Andrea Iorio and Lennart Bours and Elia Strambini and Giorgio Biasiol and Mirko Rocci and Valentina Zannier and Lucia Sorba and Fabio Beltram and Stefano Roddaro and Francesco Giazotto and Stefan Heun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.12021},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures (Proceeding of the SPIE conference)