利用倒装芯片布局对 InAs 纳米线基混合结中的 Andreev 态进行微波谱分析

基于半导体纳米线的 Josephson 结是电可调谐量子比特结构的潜在构建模块，例如 gatemon 或 Andreev 量子比特。然而，实际的实现需要对内在激发谱进行彻底的研究。在此，我们展示了利用倒装芯片方法制造的低损耗超导微波电路，该电路结合了高品质因数和良好控制的栅极架构。随后，利用该平台对原位生长的 InAs/Al 核/半壳纳米线中带有掩模阴影定义的 Josephson 结的 Andreev 态进行了单音和双音实验。在栅控和磁通偏置光谱测量中，我们发现了由光子吸收介导的离散 Andreev 束缚态之间单准粒子及准粒子对跃迁的清晰特征。我们的实验结果得到了模拟的支持，模拟表明该结处于中等通道长度区间。