三端约瑟夫森结中安德烈夫能带结构的相位工程
介观与纳米尺度物理
2023-12-12 v2 超导电性
摘要
在三个或更多超导端耦合到半导体区域混合约瑟夫森结中，安德烈夫束缚态可形成非常规能带结构，或称安德烈夫物质，其通过调控超导相位差来设计。本文报道基于 InAs/Al 异质结构实现的三端约瑟夫森结的隧穿谱测量。三个端相连形成两个环路，可独立调控两个相位差并访问二维相位空间中的合成安德烈夫能带结构。我们的结果展示了相位控制的安德烈夫分子，源于两个在空间上重叠并杂化的离散安德烈夫能级。杂化特征以谱中的反交叉和相位空间中的能带结构各向异性形式被观测到，均可由数值模型解释。本工作的未来拓展可聚焦于多端几何中的自旋分辨能级、基态费米子宇称跃迁与 Weyl 能带。
引用
@article{arxiv.2302.14535,
title = {Phase-engineering the Andreev band structure of a three-terminal Josephson junction},
author = {M. Coraiola and D. Z. Haxell and D. Sabonis and H. Weisbrich and A. E. Svetogorov and M. Hinderling and S. C. ten Kate and E. Cheah and F. Krizek and R. Schott and W. Wegscheider and J. C. Cuevas and W. Belzig and F. Nichele},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.14535},
year = {2023}
}