外延纳米线约瑟夫森结中高阶多重安德reev反射的光子辅助隧穿
介观与纳米尺度物理
2022-07-27 v2 超导电性
摘要
半导体/超导体杂化体系展现出一系列可被用于研究新物理和开发新技术现象。因此，理解此类杂化体系能谱的起源是一项关键目标。在此，我们研究由 InAsSb/Al 纳米线上阴影外延定义的约瑟夫森结。该器件在低温下呈现栅极可调的超电流，并在有限电压偏置下出现多重安德reev反射（MARs）。在微波辐照下，MARs 的光子辅助隧穿（PAT）在量子化能量处产生特征性振荡边带，其依赖于 MAR 阶数 ，并与最近提出的经典 Tien-Gordon 方程的修正相一致。量子化能量间隔随微波频率的标度，独立证实了第 阶隧穿过程所转移的等效电荷 。这些测量表明 PAT 可作为为杂化约瑟夫森器件中低能谱特征归属起源的有力方法。
引用
@article{arxiv.2205.03217,
title = {Photon assisted tunneling of high order multiple Andreev reflections in epitaxial nanowire Josephson junctions},
author = {Damon J. Carrad and Lukas Stampfer and Dags Olsteins and Christian E. N. Petersen and Sabbir A. Khan and Peter Krogstrup and Thomas Sand Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.03217},
year = {2022}
}