InSb 纳米线约瑟夫森结中的超电流与多重安德烈夫反射

外延生长的高质量半导体 InSb 纳米线是开发高性能纳米电子学、量子信息处理与通信器件以及研究固态系统中新物理现象的新兴材料体系。在此，我们报告了基于具有铝基超导接触点的 InSb 纳米线制成的超导体 - 正常导体 - 超导体结器件的测量结果。测量显示，在电流偏置配置下，有邻近效应诱导的超电流流过 InSb 纳米线段，其临界电流可通过栅极调节；在电压偏置配置下，观察到多重安德烈夫反射特征。我们还研究了临界电流和结的多重安德烈夫反射特征的温度依赖性和磁场依赖性。此外，我们从测量中提取了超额电流，并研究了其温度和磁场依赖性。在基于 InSb 纳米线的约瑟夫森结器件中成功观测到超导性，表明 InSb 纳米线为在固态系统中产生和观测马约拉纳费米子等新物理现象提供了极佳的材料体系。