Ge/Si 核/壳纳米线的高临界磁场超导接触
介观与纳米尺度物理
2016-10-11 v1 超导电性
摘要
高临界磁场超导体与半导体纳米线之间的接触在拓扑量子电路背景下至关重要，因为超导性必须维持到高磁场。在此，我们展示了 NbTiN-Ge/Si 核/壳纳米线-NbTiN 结中的栅极可调超电流。我们观察到在高达 800 mT 的磁场下仍存在超电流。通过量子点的共隧穿测量得到的诱导软超导能隙为 220 μeV。为改善接触透明度，我们在沉积 NbTiN 之前沉积了一层铝中间层，并观察到器件的夹断电压随铝厚度发生系统性变化。我们观察到铝在 180°C（常见电子束光刻抗蚀剂的烘烤温度）下会与 Ge/Si 纳米线发生退火，这为未来的多步器件制造提供了参考。
引用
@article{arxiv.1610.03010,
title = {High critical magnetic field superconducting contacts to Ge/Si core/shell nanowires},
author = {Zhaoen Su and Azarin Zarassi and Binh-Minh Nguyen and Jinkyoung Yoo and Shadi A. Dayeh and Sergey M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03010},
year = {2016}
}