PbTe-In杂化结构中的增强超导性
介观与纳米尺度物理
2025-08-27 v2 材料科学
超导电性
摘要
我们报道了在PbTe纳米线上外延生长铟薄膜的实现。薄膜连续且与PbTe形成原子级尖锐界面。隧穿器件显示出硬超导能隙。能隙大小为1.08至1.18 meV，是块体铟（约0.5 meV）的两倍，这是由于PbTe的存在。在PbTe衬底上的In的临界温度也观察到类似的增强。在有限磁场下出现子隙峰。由于In的存在，有效g因子（15-45）相比裸PbTe线（<10）显著增强，这与Al杂化结构不同。约瑟夫森器件表现出栅极可调的超电流。PbTe-In杂化结构增强了In的超导性和PbTe的g因子，因此可能实现拓扑超导等奇异物相。
引用
@article{arxiv.2402.04024,
title = {Enhanced superconductivity in PbTe-In hybrids},
author = {Zuhan Geng and Fangting Chen and Yichun Gao and Lining Yang and Yuhao Wang and Shuai Yang and Shan Zhang and Zonglin Li and Wenyu Song and Jiaye Xu and Zehao Yu and Ruidong Li and Zhaoyu Wang and Xiao Feng and Tiantian Wang and Yunyi Zang and Lin Li and Runan Shang and Qi-Kun Xue and Ke He and Hao Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.04024},
year = {2025}
}