在拓扑绝缘体 (Bi1-xSbx)2Te3 中诱导超导性的新型自外延方法
介观与纳米尺度物理
2020-09-16 v2 材料科学
强关联电子
超导电性
摘要
利用超导邻近效应在拓扑绝缘体（TI）中构建拓扑超导态是实现马约拉纳费米子的一条有前景的途径。然而，在 TI 表面外延生长超导体以实现良好的邻近效应一直是一项挑战。我们发现，仅在 TI 材料 (BiSb)Te 薄膜上沉积 Pd，即可导致 PdTe 超导体的外延自形成，其超导转变温度约为 1 K。该自形成超导体使 TI 发生邻近效应，这一点由在 (BiSb)Te 上制备的约瑟夫森结器件中出现超电流所证实。这种自外延现象可方便地用于制造基于 TI 的超导纳米器件，以研究 TI 中的超导邻近效应。
引用
@article{arxiv.1910.08331,
title = {Novel self-epitaxy for inducing superconductivity in the topological insulator (Bi1-xSbx)2Te3},
author = {Mengmeng Bai and Fan Yang and Martina Luysberg and Junya Feng and Andrea Bliesener and Gertjan Lippertz and A. A. Taskin and Joachim Mayer and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.08331},
year = {2020}
}
备注
9 pages total, 7 pages of main text with 4 figures, 2 pages of Supplemental Material with 2 figures