利用 Fe(Te,Se) 在拓扑绝缘体中实现超导邻近效应
超导电性
2018-06-12 v1
摘要
理论预测超导邻近效应可用于实现拓扑超导，这近来重新激发了人们对该效应的兴趣。在此类研究中主要使用低临界温度（低-T_c）超导体，但约 1 meV 的小能量尺度阻碍了对涌现电子相的表征，将其限制于极低温。本工作中，我们利用分子束外延在高铁基超导体 Fe(Te,Se) 上生长了不同厚度的拓扑绝缘体 Bi_2Te_3。利用扫描隧道显微镜与谱学，我们探测到高达约 3.5 meV 的诱导能隙 Δ_ind，这是迄今由 s 波超导体邻近诱导所报道的最大能隙。我们发现 Δ_ind 随 Bi_2Te_3 厚度衰减，但即使在拓扑表面态形成后仍保持有限。最后，通过成像表面态电子的散射与干涉，我们提供了由库珀配对导致的完全带隙 Bi_2Te_3 表面态的微观可视化。我们的结果确立了铁基高-T_c 超导体作为实现高-T_c 拓扑超导的有前景的新平台。
引用
@article{arxiv.1804.10141,
title = {Superconducting proximity effect in a topological insulator using Fe(Te,Se)},
author = {He Zhao and Bryan Rachmilowitz and Zheng Ren and Ruobin Han and J. Schneeloch and Ruidan Zhong and Genda Gu and Ziqiang Wang and Ilija Zeljkovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.10141},
year = {2018}
}