台阶边缘辅助外延 Bi2Se3 薄膜上大面积 FeSe 单层生长
材料科学
2020-08-26 v1 超导电性
摘要
在 FeSe 临界温度于 monolayer 极限下、在绝缘氧化物衬底界面处被报道提升一个数量级以上之后，对 Fe-硫族化物非常规超导体的关注极为热烈。在 FeSe 与拓扑绝缘体构成的异质结构中，预测会出现额外的有趣物理现象，例如以{\it 拓扑超导}形式存在。迄今为止，Fe-硫族化物单层的超导性质主要通过局域扫描隧穿谱实验研究，其可检测态密度中的赝能隙作为库珀配对指示。由于难以生长具有均一材料性质的薄膜，可直接证明或证伪超导相的宏观输运性质鲜有报道。本文报道一种有前景的生长方法，用于在分子束外延生长的 BiSe 拓扑绝缘体薄膜上制备连续单层厚 FeSe 毯状膜。与以往使用原子级平坦的解理块体 BiSe 晶体表面不同，我们观察到 MBE 生长的 BiSe 衬底上高密度台阶边缘（台面宽约 10~nm）的强烈影响，其显著促进了具有小四方晶格畸变且未破坏底层 BiSe 晶体结构的 FeSe 合并畴的生长。
引用
@article{arxiv.1912.13280,
title = {Step-edge assisted large scale FeSe monolayer growth on epitaxial Bi2Se3 thin films},
author = {Jan Fikáček and Vitalii Stetsovych and Martin Vondráček and Pavel Procházka and Stanislav Průša and Lukas Kormoš and Jan Čechal and Ondrej Caha and Tomáš Skála and Petru Vlaic and Karel Carva and Gunther Springholz and Jan Honolka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.13280},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 8 figures