衬底界面处的化学组分调控作为 FeSe 薄膜生长的关键
超导电性
2022-03-02 v1
摘要
FeSe 这一二元化合物所引发的强烈关注，要求可靠的工程方案以及更有效的方法以在 FeSe 薄膜中诱导超导性。我们的研究探讨了脉冲激光沉积中决定 FeSe 薄膜生长的特异性，聚焦于薄膜/衬底界面、域匹配外延生长的趋势以及化学异质性的不利之处。我们提出衬底表面的均质化可改善对化学计量比、织构和纳米应变的调控，从而有利于即便在超薄 FeSe 薄膜中也能实现超导性。FeSe/Fe/MgO 中的受控界面展示了原理验证。
引用
@article{arxiv.2012.08039,
title = {Chemical composition control at the substrate interface as the key for FeSe thin film growth},
author = {Yukiko Obata and Michiko Sato and Yuji Kondo and Yuta Yamaguchi and Igor Karateev and Alexander Vasiliev and Silvia Haindl},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.08039},
year = {2022}
}
备注
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