脉冲激光沉积法生长的超导多层 FeSe 薄膜的电子结构与向列相转变
超导电性
2017-06-20 v1
摘要
我们报道了对通过脉冲激光沉积（PLD）方法在 CaF2 衬底上生长的单晶多层 FeSe 薄膜的电子结构进行的全面角分辨光电子能谱研究。对超导转变温度 Tc 分别为 4 K、9 K 和 14 K 的 FeSe/CaF2 样品的测量揭示了它们在费米面和能带结构上的电子差异。通过这些样品的温度依赖性测量观察到了向列相转变的迹象；向列相转变温度为 140-160 K，远高于块体 FeSe 的 90 K。对这些样品表面进行了钾沉积；钾沉积引入电子到这些 FeSe 薄膜中并导致显著的电子结构变化，从而抑制了向列相。我们比较并讨论了 PLD 方法制备的 FeSe/CaF2 薄膜与分子束外延（MBE）方法制备的 FeSe/SrTiO3 薄膜以及块体 FeSe 的电子结构和超导性。PLD 生长的多层 FeSe/CaF2 比 MBE 生长的多层 FeSe 薄膜具有更高的空穴掺杂。我们关于 PLD 方法制备的 FeSe/CaF2 薄膜的结果建立了块体 FeSe 单晶与 MBE 方法制备的 FeSe/SrTiO3 薄膜之间的联系，并为理解 FeSe 相关体系中的超导性提供了重要信息。
引用
@article{arxiv.1706.05790,
title = {Electronic structure and nematic phase transition in superconducting multi-layer FeSe films grown by pulsed laser deposition method},
author = {Bing Shen and Zhongpei Feng and Jianwei Huang and Yong Hu and Qiang Gao and Cong Li and Yu Xu and Guodong Liu and Li Yu and Lin Zhao and Kui Jin and X. J. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.05790},
year = {2017}
}
备注
22 pages, 8 figures