基于 PLD 技术制备氧化物/FeSe 多层薄膜
超导电性
2025-09-30 v1
摘要
本研究展示了成功制备TiO2/FeSe/STO和TiO2/FeSe/LaAlO3异质结构。当生长速率足够低时，可在FeSe上等向原驰型TiO2生长，这种TiO2被报道可诱导FeSe的超导性。对于TiO2/FeSe/STO结构，FeSe/TiO2界面相对干净，如通过观察FeSe(001)反射中的拉曼条纹确认。虽然较薄的FeSe层有望提高Tc，但我们的实验结果表明，TiO2的沉积会在FeSe中引入额外的无序。最令人惊讶的是，当在FeSe/LaAlO3上沉积TiO2时，出现了超导性，清晰地表明了顶部氧化物层与下方FeSe之间的相互作用可诱导超导性。该工作表明了通过PLD制备FeSe/氧化物叠层的可行性，为铁基超导体的界面超导性探索建立了一种新平台。
引用
@article{arxiv.2509.23591,
title = {Fabrication of oxide/FeSe multilayer films using the PLD technique},
author = {Tomoki Kobayashi and Hiroki Nakagawa and Ryo Ogawa and Atsutaka Maeda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.23591},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 3 figures