FeSe/PbOx 异质结中的界面超导与 Se 空位有序绝缘相

FeSe/SrTiO3 中高温超导的发现激发了人们对探索具有工程界面的新型超导体系的浓厚兴趣。在此，利用分子束外延生长，我们成功制备了 FeSe/PbOx 异质结，并在三个不同的单层 FeSe 相关界面中发现了超导性。我们在两种不同相的 PbOx 上生长的单层 FeSe 薄膜中观察到 13~14 meV 的超导能隙。此外，我们发现了一种具有有序 $\sqrt{5}\times\sqrt{5}$ Se 空位结构的新型绝缘 Fe10Se9 相。我们的第一性原理计算表明，这种新型绝缘相源于电子关联。有趣的是，在绝缘 Fe10Se9 上额外生长的单层 FeSe 薄膜也表现出 5 meV 能隙的超导性。我们的结果表明，单层 FeSe 与基底之间的功函数差异可诱导能带弯曲与电荷转移，对界面超导至关重要。