矩形FeSe/STO(110)单层中高Tc超导性的观测
超导电性
2016-09-21 v1 材料科学
强关联电子
摘要
众所周知，铁基材料的超导性在四方对称性下有利，而竞争序如自旋密度波（SDW）和向列序在打破四重（C4）对称性时涌现或增强。相应地，在欠掺杂化合物中发现了超导转变温度（Tc）以下正交性的抑制。在选定衬底上的外延薄膜生长允许设计晶体特异性晶格畸变。在此我们展示，尽管由晶格参数5%差异诱导了C4对称性的破缺，通过分子束外延（MBE）在SrTiO3（STO）衬底(110)表面生长的FeSe单层[FeSe/STO(110)]表现出大的近各向同性超导（SC）能隙（16 meV），并在约60 K闭合。我们在这一新界面材料上的结果，类似于先前在FeSe/STO(001)上获得的结果，与普遍认为C4对称性对于铁基超导体达到高Tc至关重要这一观点相矛盾。
引用
@article{arxiv.1512.01949,
title = {Observation of high-Tc superconductivity in rectangular FeSe/STO(110) monolayer},
author = {P. Zhang and X. -L. Peng and T. Qian and P. Richard and X. Shi and J. -Z. Ma and B. -B. Fu and Y. -L. Guo and Z. Q. Han and S. C. Wang and L. L. Wang and Q. -K. Xue and J. P. Hu and Y. -J. Sun and H. Ding},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01949},
year = {2016}
}