脉冲激光沉积铁硫族化物薄膜中通过同质外延生长实现的界面控制
超导电性
2015-12-09 v1
摘要
通过脉冲激光沉积（PLD）生长铁硫族化物薄膜，在同时控制化学计量比、织构、衬底/薄膜界面特性和超导特性方面仍是一个棘手问题。组元的高挥发性将最佳沉积温度严格限制在一个狭窄窗口，并对基于真空的方法的可重复性提出主要挑战。本工作中，我们展示了在MgO衬底上后续同质外延生长超导FeSeTe薄膜时，有益地引入半导体FeSeTe籽层。MgO是超导薄膜应用中最有利的衬底之一，但MgO上铁硫族化物薄膜的受控生长尚未优化，且最不被理解。MgO与FeSeTe晶格常数之间约11%的大失配导致具有混合织构的薄膜，这阻碍了对FeSeTe结构与电学特性之间相关性的进一步精确研究。在此，我们提出一种有效方法，利用PLD在MgO上于降低的沉积温度（200 {\deg}C - 320 {\deg}C）下显著改善超导FeSeTe薄膜的同质外延生长，并可重复获得高临界温度（ 17 K）。这为各种广泛应用提供了广阔前景。
引用
@article{arxiv.1512.02524,
title = {Interface control by homoepitaxial growth in pulsed laser deposited iron chalcogenide thin ilms},
author = {Sebastian Molatta and Silvia Haindl and Sascha Trommler and Michael Schulze and Sabine Wurmehl and Ruben Hühne},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.02524},
year = {2015}
}