选择性区域生长半导体-超导体杂化结构:拓扑网络的基础
介观与纳米尺度物理
2018-10-08 v3 材料科学
超导电性
摘要
我们介绍了基于分子束外延的选择性区域生长杂化InAs/Al纳米线,其允许包含环路和分支的任意半导体-超导体网络。输运测量揭示了硬诱导能隙和未中毒的2e周期库仑阻塞,其温度依赖的1e特征与理论一致。平行磁场中的库仑峰间距显示出过冲,表明存在与器件长度一致的振荡离散近零子能隙态。最后,我们研究了一个环路网络,发现了强自旋轨道耦合和数微米的相干长度。这些结果证明了该平台在可扩展拓扑网络及其他应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.1802.04210,
title = {Selective Area Grown Semiconductor-Superconductor Hybrids: A Basis for Topological Networks},
author = {S. Vaitiekėnas and A. M. Whiticar and M. T. Deng and F. Krizek and J. E. Sestoft and C. J. Palmstrøm and S. Marti-Sanchez and J. Arbiol and P. Krogstrup and L. Casparis and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.04210},
year = {2018}
}
备注
NBI QDEV 2018