缓冲量子纳米线网络中的场效应增强
材料科学
2018-09-12 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
III-V 族半导体纳米线在各种量子输运实验中展现出巨大潜力。然而，实现可扩展的高质量纳米线平台以用于量子信息应用一直具有挑战性。在此，我们研究了通过分子束外延在基于 GaAs 的缓冲层上选择性区域生长 InAs 纳米线网络的潜力。缓冲几何结构允许显著的弹性应变弛豫和场效应迁移率的强烈增强。我们表明该网络具有强自旋轨道相互作用和长相位相干长度，其温度依赖性表明为弹道输运。基于这些发现，以及该生长方法与混合外延的兼容性，我们得出结论：该材料平台满足广泛量子实验与应用的要求。
引用
@article{arxiv.1802.07808,
title = {Field effect enhancement in buffered quantum nanowire networks},
author = {Filip Krizek and Joachim E. Sestoft and Pavel Aseev and Sara Marti-Sanchez and Saulius Vaitiekenas and Lucas Casparis and Sabbir A. Khan and Yu Liu and Tomas Stankevic and Alexander M. Whiticar and Alexandra Fursina and Frenk Boekhout and Rene Koops and Emanuele Uccelli and Leo P. Kouwenhoven and Charles M. Marcus and Jordi Arbiol and Peter Krogstrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.07808},
year = {2018}
}