外延生长InAs纳米片中的自旋轨道相互作用测量

我们报道了对由独立、纤锌矿晶型InAs纳米片制成的单栅平面场效应器件的低温输运研究。该纳米片通过分子束外延生长，该场效应器件通过栅极转移特性测量与磁场取向依赖输运测量进行表征。测量表明器件呈现优异电学性质，且纳米片中的电子输运具二维特性。在不同栅压与温度下对器件进行低场磁电导测量，并提取纳米片中的特征输运长度，如相位相干长度、自旋轨道长度与平均自由程。发现纳米片中的自旋轨道长度较短，约为150 nm量级，表明InAs纳米片中存在强自旋轨道相互作用。我们的结果显示，外延生长、独立的InAs纳米片可作为新兴半导体纳米结构平台，应用于自旋电子学、自旋量子比特与平面拓扑量子器件。