单晶InSb纳米片中由顶栅定义的双量子点
介观与纳米尺度物理
2022-08-22 v2
摘要
我们报道了对由自支撑单晶InSb纳米片制成的双量子点(DQD)器件的输运研究。该自支撑纳米片通过分子束外延生长，双量子点由顶栅技术定义。通过输运测量，我们展示了如何通过调节施加于顶栅的电压在InSb纳米片中定义单量子点(QD)和双量子点。我们还测量了双量子点的电荷稳定性图，并表明双量子点中两个独立量子点之间的电荷态与点间耦合可由顶栅有效调控。我们对双量子点中的电势分布和电荷密度分布进行了数值模拟，结果支持实验发现，并增进了对InSb纳米片中双量子点制备与输运特性的理解。在二维InSb纳米片中实现的双量子点在横向缩放方面具有显著优势，因此可作为量子计算与量子模拟技术发展的新型构建单元。
引用
@article{arxiv.2105.00478,
title = {A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet},
author = {Yuanjie Chen and Shaoyun Huang and Jingwei Mu and Dong Pan and Jianhua Zhao and H. Q. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.00478},
year = {2022}
}
备注
17 pages, 5 figures