包含两颗单畴纳米磁体的横向双量子点中的电偶极诱导自旋共振
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
片上磁体可用于在纳米电子电路中实现相对较大的局部磁场梯度。此类场梯度为电子自旋量子比特的全电学控制提供了可能，其中重要的耦合常数关键依赖于详细的场分布。我们展示一种在GaAs/AlGaAs异质结构中横向定义的双量子点（QD）混合器件，其包含两颗单畴纳米磁体。它们具有显著不同的矫顽场，使我们能够实现局域非均匀场分布的四种不同构型。我们进行了泡利自旋阻塞区下的直流输运谱以及电偶极诱导自旋共振（EDSR）测量来探究我们的混合纳米器件。对两颗纳米磁体的表征发现与数值模拟高度吻合。通过将EDSR测量与另一仅含一颗纳米磁体的双量子点进行比较，我们揭示了每个量子点各置一磁体的重要优势：它在每个量子点中促成强场梯度，并允许例如在EDSR实验中单独控制电子自旋。若仅有一颗单畴纳米磁体及常见量子点几何结构，EDSR可能只能在其中一个量子点中实现。
引用
@article{arxiv.1503.01938,
title = {Electric-dipole-induced spin resonance in a lateral double quantum dot incorporating two single domain nanomagnets},
author = {F. Forster and M. Mühlbacher and D. Schuh and W. Wegscheider and S. Ludwig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.01938},
year = {2015}
}