具有谷依赖g因子的系统中的电偶极自旋共振
介观与纳米尺度物理
2016-06-01 v1
摘要
在本理论研究中，我们定性并定量地探究了在存在磁场梯度（例如由铁磁体产生）时，单个Si/SiGe量子点中的电偶极自旋共振（EDSR）。我们建模了一种通过施加振荡电场来控制电子自旋态的情形，该电场诱导电子在量子点内的实空间振荡。我们研究的目标之一是提出Si/SiGe量子点中谷依赖因子的微观理论，并探究谷弛豫与谷依赖因子如何结合导致一种新颖的电子自旋退相干机制。此外，我们讨论了Si/SiGe量子点中自旋与谷弛豫的相互作用。我们的结果表明电子自旋因谷弛豫而退相干，且与近期实验研究[Nature Nanotechnology 9, 666-670 (2014)]一致。
引用
@article{arxiv.1603.02829,
title = {Electric dipole spin resonance in systems with a valley dependent g-factor},
author = {Marko J. Rančić and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02829},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 9 figures