InAs纳米线双量子点中g因子的场调控
介观与纳米尺度物理
2013-07-24 v2 量子物理
摘要
我们研究了磁场和电场对限制在双电子InAs纳米线双量子点中自旋的g因子的影响。通过监测泡利阻塞区中的泄漏电流来进行自旋敏感测量。单自旋旋转由电偶极自旋共振驱动。作为磁场方向函数的g因子从自旋共振条件中提取，从而允许确定完整的g张量。电场和磁场调控可用于最大化g因子差异，并在某些情况下完全淬灭EDSR响应，从而实现选择性单自旋控制。
引用
@article{arxiv.1105.1462,
title = {Field Tuning the G-Factor in InAs Nanowire Double Quantum Dots},
author = {M. D. Schroer and K. D. Petersson and M. Jung and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.1462},
year = {2013}
}
备注
Related papers at http://pettagroup.princeton.edu