量子点中单自旋态的电压可调性

固态中的单自旋为存储和操纵量子信息以及执行局部场和电荷的量子增强传感提供了独特的机会。利用原子物理学中开发的技术对这些系统进行光学控制尚未充分利用固态的所有优势。我们通过改变自旋感知磁场的方式，展示了单量子点中自旋能级的电压可调性。我们发现，随着更多空穴加载到量子点上，电子的面内 g 因子发生不连续变化。相比之下，空穴的面内 g 因子连续变化。该器件可以改变单空穴面内 g 因子的符号，此时在两个自旋本征态中观察到避免交叉。这正是通过单个电栅极实现单自旋通用控制所需要的。