量子点分子中空穴自旋比特的电 g 张量控制与自旋回波
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 量子物理
摘要
本文证明了通过电 g 张量控制，在量子点分子中对空穴自旋进行高保真度单量子比特操作的可行性。除了恒定的外加磁场外，所提方案允许对空穴自旋进行纯电控制。使用基于过程层析的最优控制，我们确定了用于各种量子比特操作的实际电门偏置分布。结果表明，它们对由空穴与宿主晶格核自旋及声子相互作用引起的退相干和耗散具有显著的鲁棒性，在约 10 ns 的门操作时间下保真度损失约为 1%。我们对空穴自旋的自旋回波实验进行了建模，以探索退相干机制，并讨论了脉冲定时缺陷对门保真度损失的影响。
引用
@article{arxiv.1003.0897,
title = {Electric g Tensor Control and Spin Echo of a Hole-Spin Qubit in a Quantum Dot Molecule},
author = {Robert Roloff and Thomas Eissfeller and Peter Vogl and Walter Pötz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0897},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 6 figures, revtex4