嵌入自旋场效应晶体管的量子比特链中的受控非门及其过程层析
量子物理
2015-06-04 v3
摘要
我们研究了由嵌入在自旋场效应晶体管中的自组装量子点内的电子所实现的量子比特链中受控非（CNOT）门的可实现性，并通过量子过程层析表征了该门操作。我们证明了，在量子比特的相干时间内，利用自旋交换相互作用和若干局部量子比特旋转，可以执行 CNOT 门操作及其过程层析。此外，结果表明，当将操作时间的波动和沟道电子极化的不完美性视为保真度衰减的来源时，操作时间的波动至多使 CNOT 的过程保真度降低 5%，并且对于沟道自旋极化为 0.6 和 0.8 的情况，其过程保真度值分别为 0.49 和 0.72。
引用
@article{arxiv.1203.6737,
title = {A controlled-NOT gate in a chain of qubits embedded in a spin field-effect transistor and its process tomography},
author = {Makoto Unoki and Hiromichi Nakazato and Kazuya Yuasa and Kanji Yoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.6737},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 3 figures