Ge/Si 核壳纳米线量子点中空穴自旋量子比特的电路 QED
介观与纳米尺度物理
2013-12-17 v2
摘要
我们提出了一种利用 Ge/Si 核壳纳米线量子点 (NW QDs) 中的空穴自旋进行通用且电控量子信息处理的方案。单量子比特门可通过电偶极诱导自旋共振驱动，自旋翻转时间短于 100 ps。长距离量子比特 - 量子比特耦合可由超导传输线谐振腔的电场介导，我们表明对于纠缠门，操作时间低于 20 ns 似乎是可行的。Dresselhaus 自旋轨道相互作用 (SOI) 的缺失以及异常强的 Rashba 型 SOI 的存在，使得能够通过外部施加的垂直电场精确控制横向量子比特耦合。后者可作为量子门的开关，并提供对 g 因子的控制，因此单量子比特门和双量子比特门可以独立操作。值得注意的是，我们发现闲置量子比特对电荷噪声和声子不敏感，并讨论了提高噪声限制门保真度的策略。
引用
@article{arxiv.1306.3596,
title = {Circuit QED with Hole-Spin Qubits in Ge/Si Nanowire Quantum Dots},
author = {Christoph Kloeffel and Mircea Trif and Peter Stano and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.3596},
year = {2013}
}
备注
6 pages main article + 12 pages supplement, 4 figures