门控半导体纳米器件中电子沿闭合轨迹运动诱导的自旋旋转
介观与纳米尺度物理
2008-11-25 v2
摘要
提出了一种实现单电子自旋变换的量子门设计方案。自旋旋转由电子在门控半导体器件中沿闭合回路运动完成。我们演示了NOT、相位翻转和Hadamard量子门的操作，即算法中最常用的单量子比特门。所提出的器件利用了电子波包与电极上电子气体相互作用的自聚焦效应以及Rashba自旋-轨道耦合。由于自聚焦效应，电子以紧凑的波包形式运动。自旋-轨道耦合将电子的空间运动转化为自旋的旋转。该器件无需微波辐射，仅使用低直流电压即可工作，因此适用于更大寄存器中的选择性单自旋旋转。
引用
@article{arxiv.0807.1627,
title = {Spin rotations induced by electron running on closed trajectories in gated semiconductor nanodevices},
author = {S. Bednarek and B. Szafran},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.1627},
year = {2008}
}
备注
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